当前位置：首页 > 产品中心
制作二氧化硅设备
制作二氧化硅设备
研究综述球形或类球形二氧化硅超细颗粒的10种制备方法
2020年10月19日 目前，球形或类球形二氧化硅或石英超细粉的制备方法主要包括物理法和化学法，物理法包括机械研磨法、火焰成球法、高温熔融喷射法、等离子体法；化学法主要是气相法 广东中旗新材料股份与您相约2022年第六 研究综述球形或类球形二氧化硅超细颗 广东中旗新材料股份与您相 2021年8月26日 自1968年Stober等首次合成出单分散SiO2以来，科学家们发展了众多二氧化硅微球的制备方法。小曼今天给大家详细介绍一下各类二氧化硅微球的制备方法及其应用领域，我们共同学习吧！2 二氧化硅微球制备方法单分散二氧化硅微球不可错过的三种制备方法 知乎2021年6月15日 本实用新型涉及化工设备技术领域，具体为一种二氧化硅制备设备。背景技术： 二氧化硅的化学式为sio2。二氧化硅有晶态和无定形两种形态。自然界中存在的二氧化硅如石 一种二氧化硅制备设备的制作方法 X技术网
二氧化硅薄膜的制备方法完整汇总：工艺对比、参数影响及
5 天之前 本文全面分析了二氧化硅薄膜的制备方法，涵盖了从溶胶凝胶法、化学气相沉积（CVD）、溅射沉积到原子层沉积（ALD）等核心工艺的基本原理、工艺流程、优缺点及适用 2024年5月21日 本文将介绍二氧化硅的制造方法，包括沉淀法、溶胶凝胶法、气相法等。 沉淀法是制备二氧化硅的常用方法之一。 该方法通过将硅酸盐溶液与酸或碱性吸收剂反应，使硅酸 二氧化硅的生产制造方法及工艺流程化易天下总结：本文围绕peteos工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备展开了深入而全面的探讨，从原理到具体制备方法、所需设备以及应用领域均有所涉及。 通过本文的阅读，读者能够对这一技术有 采用peteos工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备百度文库2020年2月21日 针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种低温二氧化硅加工设备，具备结构简单等优点，解决了传统的低温二氧化硅加工设备结构复杂，成本较为高昂，同时内部资源循 一种低温二氧化硅加工设备的制作方法 X技术网
纳米二氧化硅生产工艺及设计 知乎
2022年12月28日 沉淀法纳米SiO2是硅酸盐通过酸化反应过程获得的，该方法制备工艺简单，能耗低，原料来源广泛、价廉，但产品粒径受酸化剂种类、浓度以及搅拌速度等因素的影响。 且制得的产品形貌难控制，孔径分布较宽，易形成 2022年5月11日 1本发明涉及一种制造二氧化硅设备，尤其涉及一种工业制造二氧化硅设备。背景技术： 2二氧化硅是一种无机物，生活中常见的玻璃的便是由二氧化硅组成，在现在的生活 一种工业制造二氧化硅设备的制作方法 X技术网2009年9月6日 SiO2薄膜制备的现行方法综述(1)时间: 来源:中国计量学院质量与安全工程学院 编辑:曾其勇 在导电基体上制作薄膜传感器的过程中，需要在基体与薄膜电极之间沉积一层绝缘膜。二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性SiO2薄膜制备的现行方法综述 知乎本发明涉及二氧化硅提纯设备技术领域，尤其涉及一种二氧化硅高效提纯装置。背景技术随着国内电子工业如集成电路、IT产业如光导光纤以及家电、电光源、新型能源如太阳能等对于石英玻璃需求用量的不断增加，高纯石英砂的市场需求量随之增加。其年复合增长率已过30％，远远高出一般 一种二氧化硅高效提纯装置的制作方法
二氧化硅（SiO2）化学镀膜浆料的制备技术方法与流程
2020年8月14日 根据本发明研制的浆料配方制作的镀膜浆料，可以玻璃、硅晶元、金属等硬质无机材料为基板或基层，以简单浸入浆料再提出的方法在目标基板上涂覆，通过控制提拉速度、搅拌速度、温度、时间等参数得到厚度范围为 的sio2薄膜；以这种浆料所镀制的二氧化硅2022年12月22日 目前磁控溅射的双靶反应溅射沉积 二氧化硅 的设备 已经成功应用到了生产线上。 四：结语 20世纪90年代中期以来，二氧化硅薄膜作为一种新型材料在光学和电学等方面具有优异的性能，越来越受到广泛的关注。同时二氧化硅 科研一角二氧化硅薄膜制备方法、性能及其应用的研究进展2023年2月3日 1本实用新型涉及一种净化设备，具体为一种气相二氧化硅生产净化设备，属于气相二氧化硅生产净化技术领域。背景技术： 2气相二氧化硅还可以提高涂料的耐候性、抗划伤性，提高涂层与基材之间的结合强度，同时，气相二氧化硅具有极强的紫外线吸收、红外光反射特性，填加在涂料中能提高 一种气相二氧化硅生产净化设备的制作方法 X技术网2022年12月28日 用此方法得到的纳米SiO2粒径一般在7~40nm之间，制得的产品纯度高、分散性好、粒径小，但对设备要求较高，工艺复杂，能耗大、生产成本高。 2沉淀法 沉淀法纳米SiO2是硅酸盐通过酸化反应过程获得的，该方法制备工艺简单，能耗低，原料来源广泛、价廉，但产品粒径受酸化剂种类、浓度以及搅拌 纳米二氧化硅生产工艺及设计 知乎
工业上生产二氧化硅原理和工艺流程？？？ 百度知道
2013年5月28日 1 制备二氧化硅部分1 1 主要原料、设备和仪器主要原料:工业硅酸钠, ρ=1384 g/cm3;工业硫酸;乳化剂;氨水;合成蜡。主要设备和仪器:搪瓷( 带搅拌,夹套加热 )釜 ;高速搅拌机;喷雾干燥机;气流粉碎机;压滤机。 1 2 蜡乳化液配制将合成蜡和适当乳化剂、水 综上，根据二者的优缺点，选择制备的介孔二氧化硅为SBA15。 三、介孔二氧化硅制备工艺选择 介孔二氧化硅制备方法有多种多样，但是其核心都是溶胶凝胶法，该方法制备条件温和，在室温下就可进行，而且耗能低、对环境危害性小，操作简单、反应容易进行，可空性强因而应用较为广泛。介孔二氧化硅的制备工艺调研百度文库2022年10月5日 1本发明属于半导体工艺技术领域，特别是半导体电力电子器件工艺技术领域，尤其涉及一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用。背景技术： 2二氧化硅(sio2)薄膜材料是一种物理和化学性能都十分优良的介质薄膜，具有介电性能优良、损耗小及材料稳定性好等优点，是半导体微加工工艺中 一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用与流程 X技术网2018年10月4日 制作SiO2 ： 后面就会制作二氧化硅（SiO2，后面简称Oxide），在CMOS的制作流程中，制作oxide的方法有很多。在这里由的SiO2是用在栅极下面的，它的厚度直接影响了阀值电压的大小和沟道电流的大小。所以大多数foundry在这一步都是选择质量最高 这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）SiO2
采用PETEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备与流程 X
本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种采用PETEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备。背景技术采用PETEOS(等离子体增强正硅酸乙酯淀积二氧化硅)工艺制备的二氧化硅薄膜，由于其低成本、高稳定性及高产出在半导体制造中应用非常广泛。但是在半导体制备过程中，一般采用热氧化工艺、PE 2010年8月18日 专利名称：气相二氧化硅生产工艺燃烧反应器的制作方法 技术领域： 本实用新型属于化工设备技术领域，具体是一种气相二氧化硅生产工艺燃烧反应 O 背景技术： 气相二氧化硅，又称气溶胶二氧化硅或气相法白炭黑，其被广泛应用于橡胶、涂 料、塑料、医药、粘合剂、油墨、农药、催化剂、电子 气相二氧化硅生产工艺燃烧反应器的制作方法 X技术网2024年3月29日 TSV 制程关键工艺设备 TSV（ThroughSilicon Via）制作工艺包括多个关键步骤，每个步骤都有相当的技术难度，需要特定的设备来实现。以下是TSV制作工艺中涉及的关键步骤和相关设备： 1、通孔制作： 通过深刻蚀工艺来实现。科普｜TSV 制程关键工艺设备技术及发展2023年9月28日 大型纳米二氧化硅吸粉设备 ，解决纳米吸粉和团聚问题 173 播放 纳米级粉体研磨分散需使用高剪切、高转速、高能量密度等，同时还需要避免污染产生，一般欧洲品牌的设备比较适合。当然，如果已经有XX或日制分散和研磨设备，则可以采用现有 怎样将纳米二氧化硅粉末制备成水分散液或硅溶胶？ 知乎
一种新型二氧化硅提纯装置的制作方法
2017年7月25日 本发明涉及二氧化硅提纯设备技术领域，尤其涉及一种新型二氧化硅提纯装置。背景技术随着国内电子工业如集成电路、IT产业如光导光纤以及家电、电光源、新型能源如太阳能等对于石英玻璃需求用量的不断增加，高纯石英砂的市场需求量随之增加。其年复合增长率已过30％，远远高出一般工业品 球形硅微粉又称球形石英粉、石英微珠粉，是一种微米级非晶体玻璃质二氧化硅超纯粉体材料。我公司提供工艺包、工程设计、设备制造、工程建设、装置开车、产品技术服务中的一项至全项服务。东昊球形硅粉设备球型石英微粉技术设备球形二氧化硅微 5 天之前 氧化硅片/silicon oxide wafer AEMD的氧化硅片是运用热氧化工艺，通过常压炉管设备在高温（800℃~1150℃）条件下，通过氧气或者水蒸气的方式在硅片的表面生长而成的二氧化硅薄膜。氧化硅片(silicon oxide wafer) 先进电子材料与器件校级平台2015年4月27日 纳米球形硅微粉( SiO2) 是一种无毒、无味、无污染的无定型白色粉末，粒径通常为20 ～ 200 nm，由于其具备粒径小、纯度高、分散性好、比表面积大、导热系数低、热膨胀系数低、化学性能稳定、耐腐蚀等优越性能而具有广阔的发展前景。球形硅微粉主要应用于大规模集成电路封装，在航空、航天 纳米球形二氧化硅的制备工艺进展 技术进展 中国粉体技术
薄膜沉积设备解析——PECVD/LPCVD/ALD设备的原理和应用
2023年12月9日 薄膜沉积 是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。 这层膜可以有各种各样的材料，比如绝缘化合物二氧化硅，半导体多晶硅、金属铜等。用来镀膜的这个设备就叫薄膜沉积设备。从半导体芯片制作工艺流程来说，位于前道工艺中。2006年8月16日 本发明涉及乙烯聚合、乙烯与α烯烃共聚催化剂载体的制备方法及设备，尤其涉及气相流化床乙烯聚合催化剂微球形二氧化硅载体的制备方法及设备。背景技术乙烯是石油化工的主要代表产品。乙烯烃产品的生产和应用是是衡量一个国家和地区石油化工发展水平的重要的尺度。聚乙烯是乙烯下游最 气相流化床乙烯聚合催化剂微球形二氧化硅载体的制备方法及 2014年9月4日 LPD方法制作二氧化硅薄膜的研究及其表征 章引言 §1．1薄膜技术简介 薄膜技术源于二十世纪六十年代硅基集成电路的出现。为了提高单个芯片的集成 度，在一个基底硅单晶片上需要制作成千上万个电阻、电容和晶体管。器件的隔离问题lpd方法制作二氧化硅薄膜的研究及其表征 豆丁网2023年5月18日 气相二氧化硅是一种无定形二氧化硅产品，有机卤硅烷在高温水解缩合后得到粒径为7～40纳米的原生粒子，随着粒子远离火焰，温度降低，粒子之间相互碰撞、粘附和熔结形成聚集体。二氧化硅聚集体是由众多粒子熔结在一起，形状很不规则，主要为支链气相二氧化硅的制备方法及其特性 知乎
芯片二氧化硅 百度文库
芯片中常用的材料之一是二氧化硅（SiO2）。二氧化硅是一种无机化合物，它具有高熔点、高硬度和良好的绝缘性能，因此非常适合作为芯片制造中的绝缘材料。 在芯片制造过程中，二氧化硅通常用于制造绝缘层、电介质层和隔离层等。2009年9月6日 [真空冶金] 二氧化硅在真空低价法制备铝过程中的歧化行为研究 [真空镀膜] CHN薄膜的制备方法与工艺研究 [石墨烯] 半导体/石墨烯复合光催化剂的几种制备方法 [真空镀膜] 氧化铟锡(ITO)防静电薄膜的制备方法 [真空冶金] SiO2在真空低价氟化法炼铝过程的分布SiO2薄膜制备的现行方法综述(2) 真空技术网2024年3月12日 本发明属于半导体器件制造，具体涉及一种立式lpcvd设备的二氧化硅（sio2）镀膜工艺。背景技术： 1、半导体工艺中形成二氧化硅层的方式主要有热氧化、等离子体增强化学气相淀积(pecvd) 、常压化学气相淀积 (apcvd)和低压化学气相淀积 (lpcvd)这4种类型。一种立式LPCVD设备的二氧化硅沉积镀膜工艺的制作方法 X 2018年11月16日 本发明涉及氧化亚硅领域，具体而言，涉及一种生产氧化亚硅的方法及装置。背景技术目前，氧化亚硅(SiOx)是重要的电子和光学材料和锂离子电池负极添加剂。传统上生产氧化亚硅的方法是将单质硅和二氧化硅同摩尔比例混合，然后研磨成微米量级的粉末(颗粒越小混合越均匀，相互间接越紧密越有 一种生产氧化亚硅的方法及装置与流程
一种深刻蚀二氧化硅脊型波导及其制备工艺的制作方法 X技术网
2006年3月8日 专利名称：一种深刻蚀二氧化硅脊型波导及其制备工艺的制作方法 技术领域： 本发明涉及平面光波导集成领域，特别是涉及一种深刻蚀二氧化硅脊型波导及其制备工艺。 背景技术： 硅基二氧化硅(SiO2)波导是各类平面光波导中应用最为广泛的一种，具有以下突出优点，如性质稳定、工艺成熟，与 2024年5月24日 薄膜沉积是芯片制造的关键工艺，薄膜种类多与工艺复杂性构筑高壁垒芯片是由数层薄膜堆叠而成，薄膜沉积是芯片前道制造中的“加法工艺”芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的 3D 结构，薄膜沉积是芯片前道制造的核心工艺之一。从芯片截取 横截面来看，芯片是由一层层纳米级元全球薄膜沉积设备专题研究 薄膜沉积是芯片制造的关键工艺 2014年7月23日 二氧化硅(SiO2)平面光波导器件在光通信和光传感的应用日益广泛，制备SiO2膜材料是平面光波导及其集成器件制作的基础。等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)和火焰水解沉积(Flame Hydrolysis Deposition 二氧化硅光波导膜材料的制备工艺 Fabrication Process of 2023年3月15日 半导体行业：电子级硅烷气在半导体行业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相沉积制作二氧化硅 薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等。硅片表面及其邻近的区域被 硅烷生产工艺及设计 知乎
碳化硅制造中的环节和设备 电子工程专辑 EE
2023年9月22日 清洗晶圆，制作一层氧化硅（SiO2）薄膜，涂布光刻胶，经过匀胶、曝光、显影等步骤形成光刻胶图形，最后通过刻蚀工艺将图形转移到氧化膜上。 （2）离子注入。二、介孔二氧化硅类型选择 基于本次课题任务，要制备介孔二氧化硅，则要确定其类型。因要大规模进行工业生产，则选择的类型应该是具有比较成熟的工艺，以及适合生物医学方面的应用。 目前研究较多，最具代表性的介孔二氧化硅有MCM41和SBA15。(整理)介孔二氧化硅的制备工艺调研百度文库2018年10月12日 使用平板式PECVD设备沉积薄膜，设备示意图如图1所示。 在真空腔体中设有不锈钢上下极板，其中上极板与腔体绝缘并连接射频电源输出端。 由于在薄膜沉积过程中极板带自负偏压，因此在辉光放电过程中属于阴极，下 用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能5 天之前 二氧化硅(SiO2)平面光波导器件在光通信和光传感的应用日益广泛，制备SiO2膜材料是平面光波导及其集成器件制作的基础。等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)和火焰水解沉积(Flame Hydrolysis Deposition, FHD)工艺是 二氧化硅光波导膜材料的制备工艺 汉斯出版社
二氧化硅陶瓷介绍与应用 CERADIR 先进陶瓷在线
2020年11月1日 1二氧化硅陶瓷简介 二氧化硅的化学式为SiO2。二氧化硅有晶态和无定形两种形态。自然界中存在的二氧化硅如石英、石英砂等统称硅石。纯石英为无色晶体，大而透明的棱柱状石英晶体叫做水晶，含微量杂质而呈紫色的叫紫水晶，浅黄、金黄和褐色的称烟水晶。本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种采用PETEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备。背景技术采用PETEOS(等离子体增强正硅酸乙酯淀积二氧化硅)工艺制备的二氧化硅薄膜，由于其低成本、高稳定性及高产出在半导体制造中应用非常广泛。但是在半导体制备过程中，一般采用热氧化工艺、PE 采用PETEOS工艺制备二氧化硅薄膜的方法及设备与流程 X 2023年9月22日 此外，它还可以用于制造微型机器人、太阳能电池，以及其他各类生产线的设备和有机电子元件，使设备的性能得到提高。 4介孔二氧化硅是一种具有众多优点的硅材料，它具有高比表面积和大比容积，即使在低压下也可以达到很高的电容量，而且具有良好的电介质性能和机 介孔二氧化硅（SiO2） 博华斯纳米科技（宁波）有限公司2022年2月3日 超净室 22晶圆制备 硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25％的硅元素，以二氧化硅( SiO{2})的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名为电子级硅（EGS），平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。半导体工艺(二)MOSFET工艺流程简介 知乎
玻璃制作工艺流程 知乎
2021年3月25日 它的主要成分为二氧化硅和其他氧化物。普通玻璃的化学组成是Na2SiO3、CaSiO3、SiO2或Na2OCaO6SiO2 、碳酸钡、石灰石、长石、纯碱等，步就是要把这些原料全都粉磨成粉。可以用到的设备一般是高压磨粉机。2022年7月25日 备相互补充，薄膜沉积设备细分品类不断迭代 薄膜的制备需要不同技术原理，因此导致薄膜沉积设备也 室发生化学反应，选择的沉积材料或者每种沉积材料的配比都会影响薄膜特性，例如在制备SiO2时候，选择SiH4或TEOS均能制备，但TEOS作为反应 芯片制造的核心工艺：一文看懂薄膜沉积 知乎